InGaN量子点的三光子激发

抽象的

我们证明，半导体量子点可以通过共振三光子过程高效激发，而共振双光子激发则受到显著抑制。我们利用时变弗洛凯理论量化了多光子过程的强度，并对实验结果进行了建模。这些跃迁的效率可以直接从半导体量子点中电子和空穴波函数的宇称性考虑中得出。最后，我们利用该技术探测了InGaN量子点的本征性质。与非共振激发相比，该方法避免了载流子弛豫缓慢的问题，从而可以直接测量最低能量激子态的辐射寿命。由于发射能量与共振驱动激光场的失谐较大，因此无需进行偏振滤波，并且与非共振激发相比，可以观察到具有更高线偏振度的发射。.