单层 MoS2 中激子的相干性和密度动力学达到均匀极限

抽象的

高分辨率图像下载 MS PowerPoint 幻灯片 我们测量了嵌入六方氮化硼中的单层二硫化钼（形成 ah-BN/MoS₂/h-BN 异质结构）中激子的相干非线性响应。利用四波混频显微镜和成像技术，我们将激子的非均匀展宽与均匀展宽和粒子寿命关联起来。我们发现，激子动力学受理想晶体性质之上的微观无序控制。通过分析响应的振幅和相位，我们研究了共振驱动激子群体的弛豫路径，从而研究了激子超快密度动力学。封装对表面的保护作用提供了低无序的稳定单层样品，避免了表面污染及其导致的激子展宽和动力学改变。我们识别出几微米范围内的区域，在这些区域内，光学响应完全由均匀展宽主导。在数十微米的样品范围内，观察到微弱的非均匀展宽和应变效应，这归因于与 h-BN 的残余相互作用以及封装过程中的缺陷。.