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太赫兹光学技术与散射型扫描近场显微镜(s-SNOM)的结合,近年来已成为探测半导体及其他纳米尺度材料特性的重要新范式。研究人员已展示了一系列相关技术,包括太赫兹纳米显微镜(基于线性光学的弹性散射)、时间分辨方法和纳米尺度太赫兹发射光谱。然而,自20世纪90年代中期该技术诞生以来,几乎所有s-SNOM实例都存在一个共同的问题:耦合到近场探针的光源波长较长,通常能量在2.5 eV或更低。将更短波长(例如蓝光)耦合到纳米探针的挑战,极大地阻碍了对宽带隙材料(例如硅和氮化镓)纳米尺度现象的研究。本文将介绍首次使用蓝光进行s-SNOM实验的成果。我们利用波长为 410 nm 的飞秒脉冲,直接从体硅中产生太赫兹脉冲,并实现了纳米级的空间分辨。结果表明,这些信号提供了近红外激发无法获得的光谱信息。我们建立了一个新的理论框架来解释这种非线性相互作用,从而能够精确提取材料参数。这项工作为利用 s-SNOM 方法研究具有重要技术应用价值的宽带隙材料开辟了新的可能性。.

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