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抽象的
利用时间分辨和能量分辨光电子显微镜（PEEM），我们清晰地分辨了导带Q谷中电子的冷却过程，其时间尺度为0.3 ps。电子衰变主要通过缺陷俘获过程实现，该过程的时间尺度为几个皮秒。我们观察到，在超高真空条件下，激光照射可以产生并增强陷阱态，且更高的局部光场强度会导致陷阱态更快地增加。增强的缺陷俘获会显著改变载流子动力学，因此在二维材料的光电子发射实验中应予以关注。.
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