Les processus dynamiques fondamentaux à l'interface de contact électronique, tels que l'injection et le transport des porteurs de charge, sont cruciaux et influencent considérablement les performances des dispositifs. La microscopie électronique à photoémission résolue en temps (TR-PEEM), grâce à sa haute résolution spatio-temporelle, offre des possibilités inédites d'imagerie de la dynamique électronique à l'interface. Dans cette étude, nous utilisons la TR-PEEM pour examiner la dynamique électronique d'une hétérojonction coplanaire métallique 1T′-MoTe₂/semiconducteur 2H-MoTe₂. Nous observons que les électrons hors équilibre dans 1T′-MoTe₂ possèdent une énergie supérieure à celle des électrons dans 2H-MoTe₂. Ces photoélectrons hors équilibre s'effondrent et se relaxent vers des niveaux d'énergie inférieurs en quelques picosecondes. Les électrons photoexcités se transfèrent de 1T′-MoTe₂ à 2H-MoTe₂ à une vitesse d'environ 0,8 × 10¹² s⁻¹ (soit une durée aussi courte que 1,25 ps). Ces résultats contribuent à notre compréhension du comportement des électrons photoexcités dans les hétérojonctions et à la conception de dispositifs optoélectroniques plans.