Refroidissement et décroissance ultrarapides des électrons dans une monocouche de WS2 révélés par microscopie électronique à photoémission résolue en temps et en énergie

Abstrait

L'étude a été réalisée par microscopie électronique à photoémission résolue en temps et en énergie (PEEM). Le refroidissement des électrons dans la vallée Q de la bande de conduction est clairement résolu en énergie et en temps, sur une échelle de temps de 0,3 ps. La décroissance des électrons se fait principalement par piégeage de défauts sur une échelle de temps de quelques picosecondes. Nous avons observé que les états de piège peuvent être produits et amplifiés par illumination laser sous ultravide, et que l'intensité plus élevée du champ optique local entraîne une augmentation plus rapide de ces états. Ce piégeage accru des défauts pourrait modifier significativement la dynamique des porteurs et doit être pris en compte lors d'expériences de photoémission sur des matériaux bidimensionnels.