Abstracto
Los espejos absorbentes saturables semiconductores (SESAM) se utilizan ampliamente para el bloqueo de modos de diversos láseres ultrarrápidos. El creciente interés por los láseres con bloqueo de modos mediante SESAM en el infrarrojo de onda corta y el infrarrojo medio requiere una caracterización precisa de los parámetros de los SESAM. Aquí presentamos dos configuraciones de caracterización de SESAM para un rango de longitud de onda de 1,9 a 3 µm para medir con precisión tanto la reflectividad no lineal como la dinámica de recuperación resuelta en el tiempo. Para la medición de la reflectividad no lineal, se logra una alta precisión (<0,04 %) en un amplio rango de fluencia (0,1–1500 µJ/cm²). Las mediciones de bombeo-sonda resueltas en el tiempo tienen una resolución de aproximadamente 100 fs y un rango de escaneo de hasta 680 ps. Utilizando las dos configuraciones, hemos caracterizado completamente tres SESAM de GaSb diferentes a una longitud de onda de operación de 2,05 µm fabricados en el laboratorio FIRST en ETH Zurich. Los resultados muestran un rendimiento excelente, adecuado para láseres de estado sólido y de disco semiconductor bombeados por diodos con bloqueo de modos. Hemos medido fluencias de saturación de alrededor de 4 µJ/cm², profundidades de modulación que varían del 1 % al 2,4 %, bajas pérdidas no saturables (∼ 0,2 %) y tiempos de recuperación suficientemente rápidos (< 32 ps). También se investiga la influencia prevista de la recombinación Auger en el sistema de materiales GaSb.
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