Abstracto
Los espejos absorbentes saturables semiconductores (SESAM) han revolucionado la industria de los láseres ultrarrápidos. Si bien los SESAM están bien establecidos en el régimen del infrarrojo cercano, mediante epitaxia de obleas de GaAs, existe un creciente interés en el régimen del infrarrojo de onda corta (SWIR), para el cual los SESAM pueden fabricarse utilizando el sistema de materiales GaSb. En comparación con los SESAM basados en GaAs, se ha informado que la respuesta no lineal de los absorbentes de GaSb exhibe una respuesta ultrarrápida inherente y una interacción diferente entre el tiempo de respuesta y el proceso de fabricación. En este trabajo, presentamos nuevas características avanzadas de esta interacción en un estudio detallado que investiga los efectos del desajuste de red (LMM, por ejemplo, la deformación) en los pozos cuánticos (QW) y los materiales de barrera de los SESAM diseñados para una longitud de onda central entre 2 y 2,4 µm. A 2 μm, se cultivaron SESAMs con pozos cuánticos ternarios de InGaSb, GaAsSb y cuaternarios de In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) embebidos en GaSb con diferentes niveles de LMM de pozos cuánticos, desde deformación compresiva (-1,7 % LMM) hasta deformación de tracción (+0,9 % LMM). Observamos una fuerte dependencia del tiempo de recuperación con la deformación del pozo cuántico. Si bien se midió un tiempo máximo de recuperación interbanda de 340 ps para pozos cuánticos con coincidencia de red (-0,1 % LMM), tanto los pozos cuánticos con deformación compresiva como con deformación de tracción exhiben un tiempo de recuperación interbanda más corto. Además, se ha cultivado un conjunto de SESAMs de pozos cuánticos de In 0,27 GaSb embebidos en barreras de Al x Ga 1-x AsSb con diferente contenido de Al. Observamos que un contenido creciente de Al en la barrera ralentiza significativamente el tiempo de recuperación interbanda. Todos los resultados son consistentes para las diferentes heteroestructuras diseñadas para operar a 2–2,4 µm.
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