Abstracto
Los modos dieléctricos de baja pérdida son características importantes y bases funcionales de los componentes ópticos fundamentales en los dispositivos ópticos integrados. Sin embargo, los modos de campo cercano dieléctricos son difíciles de revelar con alta resolución espaciotemporal e imágenes directas rápidas. En este trabajo, presentamos un método para abordar este problema aplicando microscopía electrónica de fotoemisión resuelta en el tiempo a un semiconductor de banda prohibida ancha y baja dimensionalidad, el nitruro de boro hexagonal (hBN). Tomando como estructura fundamental una guía de onda plana dieléctrica de baja pérdida, se revelan directamente los vórtices de campo cercano vectoriales estáticos con diferentes cargas topológicas y la evolución espaciotemporal de los modos de la guía de onda. Con la estructura de vórtice de orden más bajo, se logra un fuerte nanofocalización en el espacio real, mientras que se observa simultáneamente fotoemisión casi vertical en el espacio de momento y una dispersión estrecha en el espacio de energía debido a la superficie atómicamente plana del hBN y al pequeño horizonte de fotoemisión establecido por las energías limitadas de los fotones. Nuestro enfoque proporciona una estrategia para la realización de emisores de fotoemisión planos.
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