Abstracto
Resumen Los procesos dinámicos fundamentales en la interfaz de contacto electrónico, como la inyección y el transporte de portadores, se vuelven cruciales y afectan significativamente el rendimiento del dispositivo. La microscopía electrónica de fotoemisión resuelta en el tiempo (TR-PEEM), con alta resolución espaciotemporal, proporciona capacidades sin precedentes para visualizar la dinámica electrónica en la interfaz. Aquí, implementamos TR-PEEM para investigar la dinámica electrónica en una heterounión coplanar metálica 1 T′-MoTe 2 / semiconductora 2H-MoTe 2. Encontramos que los electrones en desequilibrio en el 1 T′-MoTe 2 poseen mayor energía que los del 2H-MoTe 2. Los fotoelectrones en desequilibrio colapsan y se relajan a niveles de energía más bajos en el orden de picosegundos. Los electrones fotoexcitados se transfieren del 1 T′-MoTe 2 al 2H-MoTe 2 a una velocidad de ~0,8 × 10 12 s −1 (tan rápido como 1,25 ps). Estos hallazgos contribuyen a nuestra comprensión del comportamiento de los electrones fotoexcitados en heterouniones y al diseño de dispositivos optoelectrónicos planares.
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