Abstracto
El acoplamiento de técnicas ópticas de terahercios a la microscopía de campo cercano de barrido de tipo dispersión (s-SNOM) ha surgido recientemente como un nuevo paradigma valioso para investigar las propiedades de semiconductores y otros materiales a nanoescala. Los investigadores han demostrado una familia de técnicas relacionadas, que incluyen la nanoscopía de terahercios (dispersión elástica, basada en óptica lineal), métodos resueltos en el tiempo y espectroscopía de emisión de terahercios a nanoescala. Sin embargo, como ocurre con casi todos los ejemplos de s-SNOM desde su inicio a mediados de la década de 1990, la longitud de onda de la fuente óptica acoplada a la punta de campo cercano es larga, generalmente a energías de 2,5 eV o menos. Los desafíos en el acoplamiento de longitudes de onda más cortas (es decir, luz azul) a la nanopunta han inhibido en gran medida el estudio de fenómenos a nanoescala en materiales de banda prohibida ancha como Si y GaN. Aquí, describimos la primera demostración experimental de s-SNOM utilizando luz azul. Mediante pulsos de femtosegundos a 410 nm, generamos pulsos de terahercios directamente a partir de silicio masivo, con resolución espacial a nanoescala, y demostramos que estas señales proporcionan información espectroscópica inalcanzable mediante excitación en el infrarrojo cercano. Desarrollamos un nuevo marco teórico para explicar esta interacción no lineal, lo que permite la extracción precisa de parámetros del material. Este trabajo abre un nuevo abanico de posibilidades para el estudio de materiales de banda prohibida ancha de relevancia tecnológica mediante métodos s-SNOM.
Compartir artículo
