Abstracto
En la litografía de proyección con dispositivo de micromirror digital (DMD), la medición precisa del plano focal es fundamental para obtener patrones submicrométricos de alta calidad. Para garantizar la fidelidad del patrón dentro de la profundidad de foco (DoF), calibramos el plano focal utilizando un sistema de detección de enfoque basado en astigmatismo, estableciendo una referencia fiable entre la superficie de la oblea y el plano de imagen litográfica. Posteriormente, exploramos los límites de la DoF de patrones de características submicrométricas mediante simulaciones de imágenes coherentes combinadas con un modelo de fotorresina de umbral constante, prediciendo perfiles de fotorresina bajo diferentes dosis de desenfoque y exposición. Los resultados experimentales verificaron los patrones de fotorresina simulados y demostraron la eficacia del sistema de enfoque calibrado. Además, al exponer patrones de ancho de línea con aperturas numéricas (NA) de 0,35 y 0,5, caracterizamos sistemáticamente la DoF mediante análisis de curvas de Bossung. Los resultados indican que anchos de línea mayores o aperturas numéricas menores aumentan la profundidad de campo (DoF), con anchos de línea objetivo de 500 nm, 800 nm y 1000 nm que corresponden a profundidades de campo de aproximadamente 1 μm, 2,5 μm y 4 μm, respectivamente. Los factores de proceso extraídos para la resolución y la profundidad de campo fueron k1 = 0,61 y k2 = 0,59. Este trabajo proporciona un marco cuantitativo para controlar la profundidad de campo y optimizar las ventanas de proceso en la litografía de proyección DMD submicrométrica, ofreciendo una guía práctica para la creación de patrones sin máscara de alta resolución.
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