Abstrakt
Mittels zeit- und energieaufgelöster Photoemissions-Elektronenmikroskopie (PEEM) konnte die Elektronenkühlung im Q-Tal des Leitungsbandes energetisch und zeitlich auf einer Zeitskala von 0,3 ps klar aufgelöst werden. Der Elektronenzerfall erfolgt hauptsächlich über einen Defekteinfangprozess im Bereich von mehreren Pikosekunden. Wir beobachteten, dass die Haftstellen durch Laserbestrahlung unter Ultrahochvakuum erzeugt und verstärkt werden können, wobei eine höhere lokale optische Feldstärke zu einem schnelleren Anstieg der Haftstellen führt. Der verstärkte Defekteinfang kann die Ladungsträgerdynamik signifikant beeinflussen und sollte daher bei Photoemissions-Experimenten an zweidimensionalen Materialien berücksichtigt werden.
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